揭开“新视界”序幕:Micro LED厂商如何跨越成本、良率瓶颈? |
发布者:鸿腾智能科技(江苏)有限公司 发布时间:2022-08-25 09:42:40 点击次数:1164 关闭 |
次世代显示技术Micro LED成为今年Touch Taiwan智慧显示展中最大焦点,随着去年揭开Micro LED元年的序幕,今年各大厂展示了许多模拟情境、前瞻应用,2022年无疑是承接起后的关键一年。 在技术不断突破的状况下,Micro LED厂商已经逐渐跨越眼前的“成本”和“良率”两座大山,迎向Micro LED眼中的“新视界”。 Micro LED制程主要分为磊芯片生长、芯片制造、薄膜制程、巨量转移、检测与修复。由于移除LED的封装及基板,留下磊晶薄膜,Micro LED芯片更轻薄短小,提供各种显示器的像素尺寸。 同时,Micro LED也继承LED的优点,拥有高解析度、高亮度、高寿命、色域更宽、自发光特性、更低的功耗,以及更好的环境稳定性,适合未来智慧显示应用,例如车用、AR眼镜、穿戴式设备等。
▲ Micro LED技术。(Source:科技新报制图) 跟传统LED制程相比,磊芯片成长、Micro LED芯片制造、薄膜制程这几个步骤,只需要改造设备,就可用于Micro LED制造,反倒巨量转移、检测与修复较困难。其中,巨量转移、检测与修复,以及红光Micro LED发光效率都是目前技术上的瓶颈,也是影响成本跟良率的关键,一旦将这些问题各个击破,降低成本,就有机会往量产迈进。
▲ Micro LED制程及瓶颈。(Source:科技新报制图)
“新视界”障碍之一:巨量转移
▲ 巨量转移示意图。(Source:科技新报制图)
拾取放置技术利用微机电阵列技术进行芯片取放,不过传统的LED取放技术因为取放速率较慢,使成本较高;至于激光转移,通过激光束将Micro LED从原始基板快速、大规模转移Micro LED到目标基板。
▲ 主流巨量转移比较表。(Source:科技新报制图)
“新视界”障碍之二:检测与修复
▲ Porotech的InGaN红光Micro LED显示器。(Source:科技新报)
因此,部分厂商从材料本身改进,像Micro LED公司Porotech发表全球第一套氮化铟镓(InGaN)基的红光Micro LED显示器,意味着三种显示器都使用InGaN做为显示材料,不受限于任何基板。另外,Micro LED大厂JBD过去致力于AlGaInP基红光Micro LED技术,最近也宣布达成50万nits超高亮度红光Micro LED量产。 |
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