中国第四代半导体再获突破成功研制高品质氧化镓外延片8英寸硅片 |
| 发布者：鸿腾智能科技（江苏）有限公司 发布时间：2023-03-18 10:44:56 点击次数：635 关闭 |
| 3月14日从西安邮电大学官网获悉，西安邮电大学半导体新型器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功制备出高品质氧化镓外延片8英寸硅片上的晶圆。这一成绩表明学校在超宽带隙半导体研究方面取得了重大进展。 团队负责人陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽带隙半导体材料，具有优异的耐高压和日盲紫外光响应特性，在功率器件和光电子领域具有巨大潜力。硅上的氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓电路的直接集成，具有成本低、散热好等优点。  氧化镓是一种新型超宽带隙半导体材料，是目前已在国际上得到广泛关注和认可并开始产业化的第四代半导体材料。与上一代半导体材料相比，氧化镓材料具有更高的击 穿电场强度和更低的电阻率，从而实现更低的能量损耗和更高的功率转换效率。此外，氧化镓具有良好的化学稳定性和热稳定性，成本低廉，制备方法简单，便于大规模生产，具有明显的产业化优势。 氧化镓是一种无机化合物，化学式为Ga2O3。三氧化镓，又称三氧化二镓，是一种宽带隙半导体，Eg=4.9eV。其导电和发光特性长期以来一直受到人们的关注。Ga2O3是一种透明氧化物半导体材料，在光电器件中具有广泛的应用前景，用作Ga基半导体材料的绝缘层和紫外滤光片。它也可以用作化学O2检测器。 近年来，我国在氧化镓制备方面不断取得突破。从去年的2英寸到6英寸，再到最新的8英寸，氧化镓制备技术日趋成熟。 |
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作为中国半导体设备的重要进口国，日本将于2023年7月23日起实施半导体出口管制新规。最新海关数据显示，虽然今年上半年日本半导体设备进口同比下降，但6月环比增长，甚至出现光刻机抢购现象。
今年第5号台风杜苏芮“上午，对福建的正面攻击预计将登陆沿海地区，从厦门到惠安，厦门市将启动一级反应。7月27日22时30分左右，我军部队第73军接到命令派出紧急救援力量
据新华社7月27日报道，住房和城乡建设部部长倪虹在近日召开的企业座谈会上表示，将大力支持刚性上升的住房需求，进一步落实降低首付比例和购买首套住房贷款利率购房税费减免、个人住房贷款“知房不贷”等政策完善和措施；继续做好房屋交接工作，加快建设项目交付，切实保护人民群众合法权益。
7月25日至26日，国务院国资委在北京召开“国资委地方领导深化国有企业改革升级举措研讨会”。会上，他们要求我们做好下半年工作，更好推动国有产权和国有企业高质量发展。重点做好深化国有企业改革升级、提质增效稳定增长、提高科技创新能力、调整国有经济布局结构等七个方面工作。
近日，俄罗斯40岁亿万富翁、俄罗斯最大IT集团ICSHoldings创始人安东·切列帕尼科夫(AntonCherepanikov)被发现死于莫斯科办公室，初步死因是心脏骤停。然而周围人却对此表示怀疑，让切列帕尼科夫也成为最新一位“神秘死亡”的俄罗斯富豪。
