SA 机构:电动汽车电力电子日益集成并转向宽禁带技术和 800 伏平台 |
发布者:鸿腾智能科技(江苏)有限公司 发布时间:2022-10-27 15:28:00 点击次数:1000 关闭 |
10 月 27 日消息,Strategy Analytics 电动汽车服务(EVS)近期发布的报告指出,电动汽车面临着消费者对“里程焦虑”和“充电焦虑”的担忧,汽车制造商的应对措施是进一步整合零部件,利用电力电子技术的进步提高动力系统效率,使用 800 伏 + 的电力网络缩短充电时间。 据鸿腾科技了解知道,该报告指出,碳化硅 (SiC) 是许多宽频带隙技术中的一种,被用于提高开关电源的效率,以驱动电动机,通过车载充电器接收电荷和转换直流电。 Strategy Analytics 全球汽车实践 (GAP) 首席分析师 Kevin Mak 表示:“随着汽车制造商将业务调整为‘全电动’,它们之间的竞争加剧了。宽禁带技术,如碳化硅,使电机逆变器能够在更高的结温下运行,从而降低其热管理要求。提高电源开关的性能导致更小的逆变器,使电动牵引电机旋转更快,提高扭矩输出,提高电池电动动力系统性能。宽禁带技术还可以使部件变得更小,这意味着动力系统的尺寸、重量和功率都得到了改善,同时也使集成系统更具灵活性。800 伏技术还使汽车制造商能够使用更轻的电缆,比使用更低的电压提取电力更快。” 宽禁带或宽带隙(WBG)是指碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等半导体器件,其中需要相对较高的能量才能将电子从原子“价(valence)”带移动到其“导(conduction)”带,在导带电子可用于电流流动。“带隙”的量度是电子伏特(eV),硅(Si)的带隙值约为 1.1eV,而 SiC 为 3.2eV,GaN 为 3.4eV。高带隙值可提供更高临界击穿电压和更低泄漏电流,尤其是在高温下更是如此。宽带隙器件还具有更好的电子饱和速度,从而可以更快地开关。SiC 还具有特别好的导热性。 |
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作为中国半导体设备的重要进口国,日本将于2023年7月23日起实施半导体出口管制新规。最新海关数据显示,虽然今年上半年日本半导体设备进口同比下降,但6月环比增长,甚至出现光刻机抢购现象。
今年第5号台风杜苏芮“上午,对福建的正面攻击预计将登陆沿海地区,从厦门到惠安,厦门市将启动一级反应。7月27日22时30分左右,我军部队第73军接到命令派出紧急救援力量
据新华社7月27日报道,住房和城乡建设部部长倪虹在近日召开的企业座谈会上表示,将大力支持刚性上升的住房需求,进一步落实降低首付比例和购买首套住房贷款利率购房税费减免、个人住房贷款“知房不贷”等政策完善和措施;继续做好房屋交接工作,加快建设项目交付,切实保护人民群众合法权益。
7月25日至26日,国务院国资委在北京召开“国资委地方领导深化国有企业改革升级举措研讨会”。会上,他们要求我们做好下半年工作,更好推动国有产权和国有企业高质量发展。重点做好深化国有企业改革升级、提质增效稳定增长、提高科技创新能力、调整国有经济布局结构等七个方面工作。
近日,俄罗斯40岁亿万富翁、俄罗斯最大IT集团ICSHoldings创始人安东·切列帕尼科夫(AntonCherepanikov)被发现死于莫斯科办公室,初步死因是心脏骤停。然而周围人却对此表示怀疑,让切列帕尼科夫也成为最新一位“神秘死亡”的俄罗斯富豪。